韩国专家谈长鑫DDR5内存：中韩内存技术差距几乎消失

11月25日消息，近日，长鑫存储正式发布最新的DDR5和LPDDR5X产品，挑战韩美先进存储大厂。

长鑫存储最新产品情况

据长鑫介绍，最新DDR5系列最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

此外，长鑫还展示了上个月已经发布的LPDDR5X产品。该系列针移动市场旗舰产品，最高速率 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，并涵盖 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。

这组数字意味着：DDR5的高端市场——特别是 7000 Mbps 以上的领域——曾被视作三星、SK海力士和美光国际三巨头的专属领地，如今已被长鑫强势打破，中国企业正式拥有了与国际巨头分庭抗礼的话语权。

长鑫存储的市场表现与技术评价

今年稍早时，市场曾出现由中国企业生产的少量DDR5内存，但这次是长鑫存储作为代表，首度正式展示实际产品。

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半导体产业指出，长鑫存储展示内存性能值得关注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代产品（6400 Mbps）提升25%，在技术路线上至少已追上韩国公司。 业界人士认为，长鑫存储的性能足以应用于搭载最先进CPU的服务器。

根据韩媒 Business Korea引述日经及研调机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储第三季DRAM市占率达8%，排名第四。 在NAND部分，长江存储第三季度市占率为13%。

中韩存储技术差距与未来竞争

由于美国封锁EUV等关键设备出口中国，使得中国扩张脚步放缓，但与韩国在通用DRAM市场的技术差距约不到一年。

韩媒认为，随着2030年迎来3D DRAM时代，竞争关系可能又会出现变数。3D DRAM是将内存单元向上堆叠的产品，当3D DRAM时代来临时，对EUV光刻设备的需求将下降，这可能成为中国企业超车的机会。

首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授表示，单看内存技术水平，韩国与中国的差距几乎已经消失。 当不需要EUV光刻设备的3D DRAM时代在五年后到来时，中国将进一步崛起。

七大模组齐发：全场景的“重火力覆盖”

除了颗粒够强，长鑫这次还一口气发布了包括 UDIMM、CUDIMM、SODIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM 以及 TFF MRDIMM 在内的七大模组形态。

一句话总结：从每个人的超薄笔记本，到数据中心的算力怪兽，长鑫这次全包圆了。

特别值得注意的是，长鑫不仅拿出了面向消费级发烧友的 CUDIMM、CSODIMM（带时钟驱动的内存），更展示了面向服务器的 MRDIMM 和 TFF MRDIMM。这两种模组代表了目前存储行业的最高技术难度，是专门为解决服务器“内存墙”问题而生的。能把这些硬骨头啃下来，说明长鑫已经具备了为全球顶级服务器厂商提供系统级解决方案的能力。